技術(shù)參數(shù)● α探測(cè)器:采用面積為1200mm2PIPS 探測(cè)器探測(cè)器;● γ探測(cè):采用晶體φ2”×2”大小Nal(Tl)探測(cè)器;● γ劑量率探頭采用
技術(shù)參數(shù)● 吸附材料:活性炭吸附;● 過濾效率:≥95%;● 測(cè)量射線:γ射線;● 參考核素:364keV(I-131);● 測(cè)量范圍:3 7Bq m3~3
技術(shù)參數(shù)● 探測(cè)器類型:PIPS探測(cè)器;● 測(cè)量射線:β、γ射線;● 測(cè)量核素:133Xe、85Kr等;● 能量范圍:80 keV~2 5MeV;● 測(cè)量范
技術(shù)參數(shù)● 探測(cè)器:2個(gè)高分辨率PIPS固態(tài)探測(cè)器,有效面積450mm2;● 測(cè)量范圍:α:1×10-2~1×10? Bq m3;β:1~1×107Bq m3;● 通訊
技術(shù)參數(shù)α、β氣溶膠測(cè)量單元● 輻射類型:α、β;● 類型:ZnS PIF閃爍體探頭;● 直徑:47mm,2英寸PMT, 同時(shí)測(cè)量α和β;● 入射窗
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